基于氣相離子在弱電場中的遷移率來檢測識別不同種類物質(zhì)的一種常壓分析化學(xué)方法,又被成為常壓質(zhì)譜。
離子遷移譜在環(huán)境氣壓條件下進(jìn)行工作.。特別適合于一些揮發(fā)性有機(jī)化合物的痕量探測,爆炸物、化學(xué)戰(zhàn)劑和大氣污染物等。
IMS系統(tǒng)的核心部分是遷移管,遷移管分為電離區(qū)和遷移區(qū)兩部分,中間以離子門分隔開。被測樣品被加熱氣化后,由載氣帶入電離區(qū),載氣分子和樣品分子在離子源放射性Ni的作用下發(fā)生一系列的電離反應(yīng)和離子-分子反應(yīng),形成各種產(chǎn)物離子。在電場的作用下,這些產(chǎn)物離子通過周期性開啟的離子門進(jìn)入遷移區(qū)。一方面從電場獲得能量作定向漂移, 另一方面與逆向流動的中性遷移氣體分子不斷碰撞而損失能量,由于這些產(chǎn)物離子的質(zhì)量, 所帶電荷, 碰撞截面和空間構(gòu)型各不相同, 故在電場中各自遷移速率不同,使得不同的離子到達(dá)探測器上的時間不同而得到分離。
離子遷移譜技術(shù)的中心部件是漂移管,工作原理如下:
首先被檢測的樣品蒸汽或微粒氣化后經(jīng)過一層半浸透膜濾除其中的煙霧、無機(jī)分子和水分子等雜質(zhì),然后被載氣攜帶進(jìn)入漂移管的反響區(qū)。在反響區(qū)內(nèi),樣品氣首先被63Ni放射源發(fā)射的射線電離,構(gòu)成產(chǎn)物離子,在反響區(qū)電場的作用下,產(chǎn)物離子移向離子門。
控制離子門的開關(guān)脈沖,構(gòu)成周期性進(jìn)入漂移區(qū)的離子脈沖。在漂移電場的作用下,產(chǎn)物離子沿軸向向搜集電極漂移。離子的遷移率依賴于其質(zhì)量、尺寸和所帶電荷。
不同物質(zhì)生成的產(chǎn)物離子在同一電場下的遷移率不同,因而經(jīng)過整個漂移區(qū)長度所用的漂移時間也不同。在已知漂移區(qū)長度和漂移區(qū)內(nèi)電場條件下,丈量出離子經(jīng)過漂移區(qū)抵達(dá)搜集電極所用的時間,就能夠計(jì)算出離子的遷移率(遷移率的定義是指在單位電場強(qiáng)度作用下離子的漂移速度),從而能夠辨識被檢測物品種;
經(jīng)過丈量離子峰的面積,就能夠預(yù)算出被檢測物的濃度;經(jīng)過改動反響區(qū)和漂移區(qū)電場方向,IMS漂移管能夠同時監(jiān)測正負(fù)離子。因而,能夠同時監(jiān)測多種化學(xué)物質(zhì)。